
一种高居里温度、高电致应变压电陶瓷材料及其制备方法
- 申请号:CN201110165378.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN102838349A
- 公开(公开)日:2012.12.26
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种高居里温度、高电致应变压电陶瓷材料及其制备方法 | ||
申请号 | CN201110165378.3 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102838349A | 公开(授权)日 | 2012.12.26 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 梁瑞虹;董显林;李玉臣;高敏;姚烈 |
主分类号 | C04B35/49(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/49(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 一种高居里温度、高电致应变压电陶瓷材料及其制备方法 至一种高居里温度、高电致应变压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种高居里温度、高电致应变压电陶瓷材料及其制备方法。所述材料的组成为Pb1-xLax(Zr1-yTiy)1-x/4O3+awt.%Nb2O5+bwt.%Fe2O3+cwt.%LiBiO2+dwt.%CuO。所述材料的制备是首先将初始原料Pb3O4,ZrO2,TiO2,La2O3,Nb2O5及Fe2O3按照传统固相法合成氧化铌,氧化铁复合掺杂改性的掺镧锆钛酸铅粉体,然后在细磨之前将适量的烧结助剂Li2CO3,Bi2O3及CuO添加至初始粉体中以降低烧结温度。本发明所述的压电陶瓷材料具有高居里温度、高电致应变并且能在中温烧结致密的特性,能满足发动机电喷系统用压电微位移驱动器的应用要求。 |
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