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磁控溅射设备

  • 申请号:CN201220261265.3
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学
  • 公开(公开)号:CN202626280U
  • 公开(公开)日:2012.12.26
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 磁控溅射设备
申请号 CN201220261265.3 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202626280U 公开(授权)日 2012.12.26
申请(专利权)人 中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学 发明(设计)人 贺凡;肖旭东
主分类号 C23C14/35(2006.01)I IPC主分类号 C23C14/35(2006.01)I
专利有效期 磁控溅射设备 至磁控溅射设备 法律状态
说明书摘要 一种磁控溅射设备,包括壳体、靶材、炉盘及多个挡板;所述壳体开设有反应腔;所述靶材收容于反应腔内并固定于所述壳体的内壁上;所述炉盘收容于反应腔内,所述炉盘固定于所述壳体的内壁并与所述靶材相对;所述多个挡板设置于所述壳体的内壁上,分布于所述炉盘的周围。上述磁控溅射设备中,其反应腔内壁上设有挡板。挡板用来阻挡射向反应腔内壁的溅射粒子,并对溅射粒子进行沉积,防止其形成碎渣并掉落,影响反应腔内制备的薄膜的质量。

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