磁控溅射设备
- 申请号:CN201220261265.3
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学
- 公开(公开)号:CN202626280U
- 公开(公开)日:2012.12.26
- 法律状态:
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专利详情
专利名称 | 磁控溅射设备 | ||
申请号 | CN201220261265.3 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN202626280U | 公开(授权)日 | 2012.12.26 |
申请(专利权)人 | 中国科学院深圳先进技术研究院;香港中文大学 | 发明(设计)人 | 贺凡;肖旭东 |
主分类号 | C23C14/35(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
专利有效期 | 磁控溅射设备 至磁控溅射设备 | 法律状态 | |
说明书摘要 | 一种磁控溅射设备,包括壳体、靶材、炉盘及多个挡板;所述壳体开设有反应腔;所述靶材收容于反应腔内并固定于所述壳体的内壁上;所述炉盘收容于反应腔内,所述炉盘固定于所述壳体的内壁并与所述靶材相对;所述多个挡板设置于所述壳体的内壁上,分布于所述炉盘的周围。上述磁控溅射设备中,其反应腔内壁上设有挡板。挡板用来阻挡射向反应腔内壁的溅射粒子,并对溅射粒子进行沉积,防止其形成碎渣并掉落,影响反应腔内制备的薄膜的质量。 |
交易流程
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选取所需
专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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