专利详情

专利名称	一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法
申请号	CN200810104760.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101566799	公开（授权）日	2009.10.28
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	甄丽娟;商立伟;刘明;刘兴华;涂德钰;刘舸
主分类号	G03F7/12(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/12(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法至一种制备镂空的聚酰亚胺蒸发掩模漏版的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明是一种用于半导体器件制造的蒸发掩模漏版的制备方法。其工艺步骤如下：1.在双面抛光的硅片衬底上形成聚酰亚胺薄膜层；2.在聚酰亚胺薄膜层上形成光刻胶图形；3.在聚酰亚胺和光刻胶图形层上蒸发金属层；4.剥离形成金属阻挡层；5.在卡具保护下从背面对硅衬底进行腐蚀形成镂空的聚酰亚胺自支撑膜；6.在金属阻挡层的掩蔽下从正面进行反应离子刻蚀形成聚酰亚胺掩模图形；7.去除金属阻挡层，完成聚酰亚胺掩模漏版的制作。利用聚酰亚胺材料制作漏版，工艺难度小，图形尺寸精度高，制造成本低，适合于有机半导体器件制备领域的大面积图形化过程。