半导体场效应晶体管的制备方法
- 申请号：CN201110172967.4
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102842507A
- 公开(公开)日：2012.12.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体场效应晶体管的制备方法 | ||
| 申请号 | CN201110172967.4 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102842507A | 公开（授权）日 | 2012.12.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体场效应晶体管的制备方法 至半导体场效应晶体管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体场效应晶体管的制造方法，包括：形成具有局部埋层隔离介质层的局部绝缘体上硅(SOI)结构的半导体衬底；在所述局部埋层隔离介质层上方的硅衬底上形成鳍片；在所述鳍片顶部和侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏结构；金属化。本发明采用传统的基于准平面的自顶向下工艺实现了与CMOS平面工艺的良好兼容，并且易于集成，有利于抑制短沟道效应，推动MOSFETs尺寸往小尺寸方向发展。 | ||
交易流程
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专利 -
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