专利详情

专利名称	基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法
申请号	CN201110169833.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102842340A	公开（授权）日	2012.12.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	童小东;梁擎擎
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法至基于PNPN结构的SRAM电路及其读写方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种基于PNPN结构的SRAM电路，包括多条位线、多条字线、分别与每一条位线以及每一条字线相连的多个存储器单元、串联在每一条位线输入端的多个电位控制器件、串联在每一条位线输出端的多个反相器，其特征在于，存储器单元为PNPN二极管结构的双端器件。本发明的基于PNPN结构的SRAM，由于采取PNPN二极管作为存储器单元，占用面积小、功耗低，有利于SRAM的大规模集成及电路整体性能的提高。由于PNPN二极管独特的反转特性，控制两端电压差就能方便改写存储器单元存储的逻辑值，SRAM写入操作快、错误率低。此外，由于在位线输入端连接有电阻或MOSFET，输出端连接有反相器，SRAM电路读取速度快。