硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法
- 申请号：CN201010590616.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号：CN102117699A
- 公开(公开)日：2011.07.06
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法 | ||
| 申请号 | CN201010590616.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102117699A | 公开（授权）日 | 2011.07.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王伟;孙晓玮;谈惠祖;周健;孙浩 |
| 主分类号 | H01G4/002(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/002(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I;H01G4/008(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I;H01G4/10(2006.01)I;H01G4/33(2006.01)I |
| 专利有效期 | 硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法 至硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。 | ||
交易流程
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专利 -
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