专利详情

专利名称	CMOS图像传感器全局曝光像素单元
申请号	CN201210014829.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102447848A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	周杨帆;吴南健;曹中祥;李全良;秦琦
主分类号	H04N5/359(2011.01)I	IPC主分类号	H04N5/359(2011.01)I;H04N5/378(2011.01)I
专利有效期	CMOS图像传感器全局曝光像素单元至CMOS图像传感器全局曝光像素单元	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种CMOS图像传感器全局曝光像素单元，包括依次连接的光电二极管、信号读出电路、信号放大电路、信号采样保持电路和信号输出电路，光电二极管用于采集入射光线的原始信息，将采集的目标图像光信号转换成电信号；信号读出电路用于读出光电转换完成后光电二极管中的电信号，并将其保存在节点FD，节点FD的信号被所述信号放大电路放大；信号放大电路含有一个运算放大器，用于对节点FD所存储的信号进行放大，放大后的信号输出给信号采样保持电路；信号采样保持电路用于对信号放大电路的输出信号进行采样保持；信号输出电路用于采样信号采样保持电路中采样保持的信号并输出。利用本发明，解决了CMOS图像传感器中现有全局曝光像素噪声大的问题。