半导体结构的制造方法
- 申请号：CN201010501712.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102446761A
- 公开(公开)日：2012.05.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体结构的制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010501712.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102446761A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体结构的制造方法 至半导体结构的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供p型场效应晶体管，所述晶体管在衬底上包括栅极；在所述晶体管上形成拉应力层；对所述拉应力层进行图案化，从而在晶体管沟道内产生压应力；以及进行退火，以记忆晶体管沟道内的压应力和达到增强晶体管性能的目的。本发明的方法利用应力记忆技术来记忆晶体管沟道内的压应力，从而改进空穴的迁移率，提高半导体结构的整体性能。 | ||
交易流程
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