专利详情

专利名称	HBT工艺中介质平面平坦化的方法
申请号	CN200810104228.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101562136	公开（授权）日	2009.10.21
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	金智;刘新宇
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	HBT工艺中介质平面平坦化的方法至HBT工艺中介质平面平坦化的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明一种异质结双极性晶体管(HBT)工艺中介质平面平坦化的方法，包括：A.在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作的基础上，旋涂介质层；B.在高温下进行介质固化；C.将基片放在等离子体下，用干法刻蚀介质，直到露出发射极金属顶面和接线柱；D. 在介质表面旋涂光刻胶；E.光刻、显影，形成布线图形；F.蒸发布线金属；G.进行布线金属的剥离。利用本发明，能有效提高器件的成品率，避免微空气桥制作中的不稳定性，对提高器件性能的一致性有很大的作用。