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一种用于监控介质平坦化过程的方法

  • 申请号:CN200810104224.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN101562135
  • 公开(公开)日:2009.10.21
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种用于监控介质平坦化过程的方法
申请号 CN200810104224.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN101562135 公开(授权)日 2009.10.21
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 金智;刘新宇
主分类号 H01L21/331(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/331(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I
专利有效期 一种用于监控介质平坦化过程的方法 至一种用于监控介质平坦化过程的方法 法律状态 授权
说明书摘要 本发明公开了一种用于监控介质平坦化过程的方法,包括:A.在 制作异质结双极性晶体管HBT的过程中,制作特定的监控图形;B. 在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上,旋涂光刻胶、光刻、显 影,在监控图形上制作特定形状的图形;C.利用氧气或含有氧气的等 离子体刻蚀基片一定时间;D.在光学显微镜下观察监控图形;E.重 复步骤C和D直到露出发射极金属、基极和集电极接线柱。本发明制 作监控图形与器件的工艺同步进行,不需要额外的工艺过程,降低了 监控难度,提高了监控精度;同时本发明也避免了使用复杂设备的开 销,有效节约成本,可以准确监控平坦化过程,使工艺稳定,避免过 刻蚀或欠刻蚀造成的工艺不稳定。

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