利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法
- 申请号：CN200810104223.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101562129
- 公开(公开)日：2009.10.21
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 | ||
| 申请号 | CN200810104223.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101562129 | 公开（授权）日 | 2009.10.21 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 金智 |
| 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/027(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 至利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用S18系列正性光刻胶制作倒梯形剖面结构 的方法，该方法包括：A.在基片上涂布S18系列的光刻胶；B.将带 有光刻胶的基片在显影液中浸泡；C.在低温下烘烤；D.曝光；E. 在较高温度下烘烤；F.显影。本发明提供了一种工艺简单，无毒、无 害溶液处理的利用S18系列光刻胶制作倒梯形剖面结构的方法，提高 了光刻的精度和倒梯形侧沿的可控性。 | ||
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