专利详情

专利名称	纳流控二极管及其制作方法
申请号	CN201210314261.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102856493A	公开（授权）日	2013.01.02
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	葛军;卢威;陈立桅
主分类号	H01L51/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/00(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	纳流控二极管及其制作方法至纳流控二极管及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种纳流控二极管，其包括纳米管道，所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成，所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。本发明还提供了该纳流控二极管的制备方法，其主要是,首先应用光刻工艺和刻蚀工艺加工形成具有该纳流控二极管结构的衬底；然后将该衬底与PDMS材料层通过不可逆键合形成纳米管道，最后在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的带电基团。与现有技术相比，本发明提供的纳流控二极管结构简单，制作过程简便、成本低廉、重现性高、可反复使用、高离子强度溶液中整流效果好。?