专利详情

专利名称	半导体器件及其形成方法
申请号	CN201010512128.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102446969A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵超;钟汇才;王文武
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其形成方法至半导体器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件，包括栅介质层，形成于半导体基底上；栅极，形成于所述栅介质层上；其中所述栅介质层包括含铪稀土氧化物或/和含锆稀土氧化物，且所述栅介质层为立方晶系的单晶，所述栅介质层沿所述半导体基底的晶格方向外延生长。还提供一种半导体器件的形成方法，将半导体基底置于反应腔中；向所述反应腔中通入含铪或/和含锆反应物、以及稀土反应物，以在所述半导体基底上外延形成单晶的栅介质层，且所述栅介质层为立方晶系，其晶格生长方向与所述半导体基底的晶格方向一致；在所述栅介质层上形成栅极。本发明的半导体器件及其形成方法可提高沟道内的载流子迁移率。