专利详情

专利名称	一种半导体结构及其形成方法
申请号	CN201010501685.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102446951A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;徐秋霞;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L29/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/06(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其形成方法至一种半导体结构及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体结构，所述半导体结构形成于第一半导体层上，所述半导体结构包括纳米线组和两个半导体基体；各所述半导体基体包括至少两个第二半导体层，各所述第二半导体层形成于绝缘层上；在各所述半导体基体之间，各所述第二半导体层及各所述绝缘层一一对应；所述纳米线组包括至少两个纳米线，各所述纳米线分立且包含第三半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层和/或所述第三半导体层材料不同，各所述纳米线与各对应的所述第二半导体层一一相接，各所述纳米线在所述第一半导体层上的投影重合。以及，一种半导体结构的形成方法。利于增加集成度。