3D集成电路结构及其形成方法
- 申请号：CN201010502039.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102446886A
- 公开(公开)日：2012.05.09
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 3D集成电路结构及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201010502039.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102446886A | 公开（授权）日 | 2012.05.09 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/52(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
| 专利有效期 | 3D集成电路结构及其形成方法 至3D集成电路结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种3D集成电路结构，包括第一晶片，其中第一晶片包括：衬底；形成在所述衬底上的半导体器件，以及形成在所述衬底及所述器件上的介质层；贯穿所述衬底、所述介质层形成的通孔，所述通孔内形成有导电材料层；包围所述通孔的应力释放层；以及连接所述器件与所述通孔的第一互连结构。通过在硅通孔中设置应力释放层可以释放一部分通孔中金属铜与周围硅之间CTE不匹配产生的应力，从而提高MOSFET器件及其相应构成的3D集成电路的性能。 | ||
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