专利详情

专利名称	一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法
申请号	CN201110397518.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102443853A	公开（授权）日	2012.05.09
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	熊巍;袁晖;周尧;陈良
主分类号	C30B29/32(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I
专利有效期	一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法至一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种掺杂稀土离子的钨酸铅大单晶的制备方法，是采用坩埚下降法工艺，其特征在于：所述的籽晶是径向尺寸为10～25mm的圆形或方形的钨酸铅晶体；所述的坩埚包括呈圆锥状籽晶端，籽晶端的放肩角为30～45度；晶体生长时，需控制放肩阶段最大下降速率为0.4～0.8mm/h，晶体生长阶段最大下降速率为0.8～1.2mm/h。本发明用坩埚下降法工艺，实现了采用较小直径的籽晶生长得到直径达50mm的掺杂稀土离子的PWO大单晶，且制得的大单晶在机械加工中不易开裂，可满足发光材料的应用要求；而且，本发明的制备工艺简单，生长后的晶体无需复杂的退火后处理，即可满足机械加工要求，具有工业化应用价值。