专利详情

专利名称	基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法
申请号	CN200810103650.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101556623	公开（授权）日	2009.10.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	武锦;欧阳思华;刘新宇;阎跃鹏
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法至基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于方波导的2×2单面双鳍线阵的制作方法，包括：建立2×2单面双鳍线阵的仿真模型，对该仿真模型进行仿真得到2×2单面双鳍线阵的散射特性；将Klopfenstein理论应用在鳍线结构中，根据数值迭代方法得到固定长度的反射系数最小的鳍线结构，通过商用计算软件得到双鳍线的横向节点所对应的有效介电常数；将得到的有效介电常数与散射特性进行结合，得到鳍线不同节点处对应的鳍缝隙的宽度，进而得到鳍线的鳍缝隙随横向节点的变换曲线，通过商用绘图软件绘制该曲线，得到优化后的基于方波导的2×2单面双鳍线阵。本发明有效的避免了复杂的数值计算，采用成熟的电磁场仿真软件，缩短了设计周期。