专利详情

专利名称	一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法
申请号	CN200910083566.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101555615	公开（授权）日	2009.10.14
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	刘敏;赵雷;王文静
主分类号	C25D11/04(2006.01)I	IPC主分类号	C25D11/04(2006.01)I;C25D11/16(2006.01)I;C25D11/08(2006.01)I
专利有效期	一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法至一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜，其特征是孔径为200纳米到300纳米，孔壁厚度为5 到20纳米；制备本发明薄膜的方法为：依次采用丙酮、乙醇和高纯水超声清洗铝片10分钟，去除表面的油脂和脏污；将经过清洗的铝片置于质量百分数为5％的氢氧化钠溶液中反应30 分钟，去除铝片表面的氧化层。然后把步骤(1)制得的铝片放入质量百分数为1％-10％的磷酸溶液中，在40-160V的电压下阳极氧化1分钟到1小时，然后将电压降低至10-120V范围，继续阳极氧化10分钟到10个小时，至此大孔径薄壁阳极氧化铝薄膜制备完毕。