专利详情

专利名称	一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法
申请号	CN201110241686.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102299200A	公开（授权）日	2011.12.28
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	万青;竺立强
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法至一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，该方法在p型晶体硅衬底上扩散制备PN结后，在n型发射极表面制备氮化硅减反射层，然后通过真空溅射、蒸镀技术或者丝网印刷技术在p型导电背表面上制备厚度为100nm～1000nm的Al薄层，并在氮化硅减反射层表面丝网印刷厚度为1μm～5μm的Ag栅线薄层，接着采用传统高温烧结技术形成Al背场种子层及Ag栅线种子层，最后通过电镀工艺，在Ag栅线种子层和Al背场种子层上电镀锡、铜或镍，加厚形成金属电极。与现有技术相比，本发明结合了丝网印刷、磁控溅射、蒸镀和电镀工艺的优点，能够获得高导电性、低遮光率的前金属栅线电极，同时能够有效地降低昂贵金属Ag的用量，因此具有重要的产业化应用前景。