一种半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201010215124.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102299053A
- 公开(公开)日：2011.12.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010215124.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102299053A | 公开（授权）日 | 2011.12.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过去除牺牲衬底或SOI衬底中的底层硅并形成碳纳米管的替代衬底，并在碳纳米管的衬底结构上的半导体层上形成器件结构，由于在沿着碳纳米管的空管方向，其具有很好的散热性能，从而减小器件的自加热效应，进而提高了器件的整体性能。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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