半导体结构及其制造方法
- 申请号：CN201010527488.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102456737A
- 公开(公开)日：2012.05.16
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010527488.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102456737A | 公开（授权）日 | 2012.05.16 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构采用共用接触来调节阈值电压，即接触位于源区或漏区外侧的部分延伸至背栅区，并形成源区或漏区与背栅区的电学接触，简化了制作工艺程序，能够提高集成度、降低生产成本。此外，非对称背栅结构设计能够进一步提高阈值电压调节效果，改善器件性能。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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