专利详情

专利名称	应力隔离沟槽半导体器件的形成方法
申请号	CN201010527260.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102456577A	公开（授权）日	2012.05.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;骆志炯;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	应力隔离沟槽半导体器件的形成方法至应力隔离沟槽半导体器件的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种应力隔离沟槽半导体器件的形成方法，包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第一沟槽，在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；在所述硅基底上形成至少两条相平行的第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直，在所述第二沟槽中形成第二介质层；在形成所述第一沟槽之后，在相邻的第一沟槽之间的硅基底中形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为(100)，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向(110)。本发明在MOS晶体管的沟道宽度方向提供张应力，从而改善了PMOS晶体管和/或NMOS晶体管的性能。