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基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器

  • 申请号:CN201110242658.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院福建物质结构研究所
  • 公开(公开)号:CN102457018A
  • 公开(公开)日:2012.05.16
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器
申请号 CN201110242658.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102457018A 公开(授权)日 2012.05.16
申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 苏辉
主分类号 H01S5/20(2006.01)I IPC主分类号 H01S5/20(2006.01)I
专利有效期 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 至基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器,在MMI的一侧或两侧制备高反射面可以缩小MMI在输入输出方向上的尺寸,即不需要是自成像距离的整数倍,而可以是自成像距离整数倍的1/n(n为整数)。发明另一方面涉及利用新型的MMI结构制备具有单纵横模输出的高功率激光器;其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域(AMMI),即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅,可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加,因此可以实现单纵横模的稳定输出。

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