专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010527470.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102456735A	公开（授权）日	2012.05.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提出了一种半导体器件，包括：衬底，包括用于对位于栅长方向上的不同器件进行隔离的沟槽；栅极部分，位于所述衬底上；源极部分和漏极部分，分别位于栅极部分相对两侧的衬底内；衬里，位于所述沟槽的内壁上；应变相变材料部分，位于所述沟槽中；其中应变相变材料部分对衬底施加拉应力或压应力，以使衬底产生拉应变或压应变。本发明还提出了一种用于制造上述半导体器件的工艺方法。在本发明中，在浅沟槽隔离区中形成相变材料。通过相变材料在发生相变时所产生的体积或密度改变，能够产生较大的形变应力，从而增强半导体器件的性能。