专利详情

专利名称	非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法
申请号	CN201010527589.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102456746A	公开（授权）日	2012.05.16
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	霍宗亮;刘明;张满红
主分类号	H01L29/788(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/788(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法至非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法。该存储单元包括：衬底；源区和漏区，形成于衬底上部沟道的两侧，非挥发性半导体存储单元周边；栅堆栈，形成于衬底上部沟道之上，与源区和漏区相连通，其中栅堆栈包括作为存储层的金属性薄膜浮栅。本发明的存储单元及器件中，金属性薄膜浮栅代替现有技术中的多晶硅浮栅，从而能够增加电荷的存储能力，有利于存储单元的数据保持特性。