专利详情

专利名称	半导体结构及其制作方法
申请号	CN201010215163.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102299154A	公开（授权）日	2011.12.28
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制作方法至半导体结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；栅堆叠，形成于所述沟道区上；侧墙，形成于所述栅堆叠的外侧；源/漏区，形成于所述沟道区的两侧；所述栅堆叠包括：栅介质层，形成于所述沟道区上；导电层，形成在所述栅介质层上；其中，对于nMOSFET，所述导电层具有压应力，以给所述沟道区提供拉应力；对于pMOSFET，所述导电层具有拉应力，以给所述沟道区提供压应力。本发明的实施例适用于半导体制造的沟道工程应用。