专利详情

专利名称	相变存储单元的读写驱动电路
申请号	CN200910050914.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101552603	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈后鹏;蔡道林;陈小刚;宋志棠
主分类号	H03K19/0175(2006.01)I	IPC主分类号	H03K19/0175(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I
专利有效期	相变存储单元的读写驱动电路至相变存储单元的读写驱动电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种相变存储单元的读写驱动电路，其包括：用于提供待读写的相变存储单元所需电流的电流源电路；用于将电流源电路所提供的电流转换为多路镜像电流的镜像电路；与多个脉冲信号输入端相连接且用于根据待读写的相变存储单元当前所要进行的操作选择相应输入的脉冲信号的脉冲选择电路；用于根据所选择的脉冲信号选取所述镜像电路输出的一路镜像电流，并将其输出至待读写的相变存储单元的电流控制电路；与写信号输入端相连接且用于监视写入的数据是否正确的写监视电路；用于根据待读写的相变存储单元的电流确定所述待读写的相变存储单元的电压降，进而确定所述待读写的相变存储单元所存储的数据的读数据电路，由此实现对相变存储单元的读写驱动。