专利详情

专利名称	单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法
申请号	CN200810103226.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101552236	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;徐静波;付晓君
主分类号	H01L21/8232(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8232(2006.01)I
专利有效期	单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法至单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单片集成GaAs基E/D MHEMT的制作方法，该方法包括：对GaAs基E/D MHEMT外延片进行有源区隔离和腐蚀；对进行有源区隔离和腐蚀后的外延片进行漏源制备；采用分步栅工艺，挖栅槽，蒸发Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极；金属剥离，形成金属图形。利用本发明，能够制作出性能良好的E/D MHEMT器件，成功的将增强型MHEMT器件和耗尽型MHEMT器件集成于同一芯片内，具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。