专利详情

专利名称	在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法
申请号	CN200810103256.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101552206	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;付晓君;徐静波
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I
专利有效期	在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法至在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种在ZnO纳米线场效应管制备中实现ZnO纳米线固定的方法，该方法包括：在场效应管衬底上涂一层5214原胶，采用阴版光刻曝光后，将ZnO纳米线沉积到衬底上，不去胶，再涂一层5214 原胶，再曝光，蒸发Ti/Au源漏金属，利用源漏pad金属将ZnO纳米线固定住，从而实现ZnO纳米线的固定。由于本发明采用了双层胶光刻技术，所以解决了ZnO纳米线场效应晶体管制备过程中纳米线从衬底脱落的问题，避免器件失效。