专利详情

专利名称	实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法
申请号	CN200810103255.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101552205	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;付晓君;徐静波
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I
专利有效期	实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法至实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底的定位方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和十字阳版光刻，显影形成按照一定规律排列的十字；蒸发Ti/Au形成金属十字Marker以及十字两侧的队列标记；采用超声乙醇水解法将ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将包含ZnO纳米线的液滴滴入所述金属十字 Marker中央，利用十字marker和两侧的队列标记定位出纳米线所在的位置。利用本发明，实现了ZnO纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底的沉积和定位，解决了ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的问题，实现了纳米线的精确定位。