专利详情

专利名称	实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法
申请号	CN200810103254.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101552204	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;付晓君;徐静波
主分类号	H01L21/335(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/335(2006.01)I;H01L21/368(2006.01)I
专利有效期	实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法至实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开了一种实现ZnO纳米线到场效应管衬底沉积和定位的方法，该方法包括：在场效应管衬底上采用正性光刻胶和阴版光刻，显影形成按照一定规律排列的光刻胶凹槽；采用超声乙醇水解法将 ZnO纳米线从原生长衬底上剥离；采用滴管将ZnO纳米线滴到所述布满光刻胶凹槽的场效应管衬底上，实现将ZnO纳米线沉积在该场效应管衬底上；蒸发掉乙醇，使ZnO纳米线掉入光刻胶凹槽中，在衬底上形成按一定方向和固定位置的ZnO纳米线。利用本发明，实现了ZnO 纳米线从原玻璃衬底到场效应管衬底的沉积和定位的方法，解决了 ZnO纳米线上沉积到器件衬底后的杂乱排列的问题，实现了纳米线的精确定位。