专利详情

专利名称	一种用于产生高磁场高均匀度的超导磁体系统
申请号	CN200810239180.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101552077	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	王秋良;胡新宁
主分类号	H01F6/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01F6/00(2006.01)I;G01R33/38(2006.01)I;G01R33/42(2006.01)I;H02H5/00(2006.01)I
专利有效期	一种用于产生高磁场高均匀度的超导磁体系统至一种用于产生高磁场高均匀度的超导磁体系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于产生高磁场高均匀度的超导磁体系统，由主线圈、外围线圈、失超保护电路、失超加热器和电源组成。主线圈由多个同心螺管线圈按径向从内到外分层依次安装而成。主线圈外层的外围线圈沿径向从内至外依次为反绕线圈一(13)、反绕线圈二(14)、补偿六次谐波分量的超导线圈一(15)、补偿六次谐波分量的超导线圈二(16)、屏蔽环(17) 和屏蔽线圈(18)。失超保护电路的每个回路由对应的保护电阻和二极管与每个线圈串联形成，每个线圈对应安装一个失超加热器。本发明主线圈中相互接触的超导线圈的导线分级线径之差小于0.05mm。本发明使用反绕方法补偿磁场的高次谐波分量，使得在50mm直径的工作空间内达到0.15ppm的均匀度。