专利详情

专利名称	一种自成像双面套刻对准方法
申请号	CN200910082586.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101551597	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	马平;胡松;唐小萍;邢薇;严伟
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I
专利有效期	一种自成像双面套刻对准方法至一种自成像双面套刻对准方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种涉及微电子专用设备技术领域用于双面光刻机的自成像套刻对准方法，此方法用于双面光刻机中实现样片与掩模版的套刻对准。该方法利用反射式波带片成像技术，在掩模版标记上方使用单视场显微镜或CCD成像系统对准，实现单曝光头正面套刻对准、正面两次(正反)曝光的双面对准光刻总体技术方案。该方法提供了一种在双面光刻机中仅在掩模版及样片一侧(即正面)使用一套光学系统即可实现双面套刻对准的方法，并有效地解决了其他常用对准方法中存在的结构复杂、操作繁琐以及套刻对准精度低等技术问题。