专利详情

专利名称	一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法
申请号	CN200910051766.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101551403	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	李昕欣;王权
主分类号	G01P15/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01P15/00(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;G01K7/22(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法至一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD 炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多晶硅热敏电阻来检测温度变化，构成温度传感器。此集成芯片实现微型化和低成本化，具有精度高，可靠性好，稳定性佳等优点。