专利详情

专利名称	一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法
申请号	CN200910083565.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101551324	公开（授权）日	2009.10.07
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	李斌成;黄秋萍;刘显明;韩艳玲
主分类号	G01N21/31(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/31(2006.01)I;G01N21/17(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I;G01R27/02(2006.01)I
专利有效期	一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法至一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种基于双探测光束的半导体材料特性测量装置及方法，用于测量半导体材料特征参数和监控掺杂等工艺过程。基于半导体材料对强度周期性调制的激励光的吸收，在同一套测试系统中同时获得自由载流子吸收信号和光调制反射信号；通过改变激励光的调制频率，得到频域的自由载流子吸收信号和光调制反射信号；通过改变激励光和探测光之间的间距，得到空间域的自由载流子吸收信号和光调制反射信号；通过分析处理所得信号或通过与定标样品的信号数据比较，可得到半导体材料的特征参数及掺杂浓度等工艺参数。本发明弥补单一技术存在的缺点及提高测量精度；在一个装置中同时获取两种信号，较单一技术获得半导体材料更多的重要参数。