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一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器

  • 申请号:CN201220517971.X
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN202836765U
  • 公开(公开)日:2013.03.27
  • 法律状态:
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器
申请号 CN201220517971.X 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202836765U 公开(授权)日 2013.03.27
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 高超群;焦斌斌;刘瑞文;尚海平;陈大鹏;叶甜春
主分类号 G01J5/00(2006.01)I IPC主分类号 G01J5/00(2006.01)I;G01J5/02(2006.01)I
专利有效期 一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 至一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器 法律状态
说明书摘要 本实用新型实施例提供一种非制冷红外成像焦平面阵列探测器,包括透明衬底(1)以及以非嵌套的方式平铺在所述透明衬底(1)上的多个微悬臂梁单元(2);所述透明衬底(1)对与所述非制冷红外成像焦平面阵列探测器相配套的读出光路的光线透明。本实用新型实施例提供的非制冷红外成像焦平面阵列探测器,对目标物体进行检测时,由于衬底透明,避免了硅衬底对于来自目标物体的红外光的遮挡和反射引起的能量损失,可有效提高检测灵敏度;同时,因为衬底透明,也无需对衬底进行镂空,避免了制作全镂空结构所需的长时间体硅腐蚀工艺,简化制作流程,提高产品成品率。

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