专利详情

专利名称	一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用
申请号	CN200910050392.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101546810	公开（授权）日	2009.09.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	顾怡峰;宋志棠;张挺;刘波;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I
专利有效期	一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用至一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。