一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法
- 申请号：CN200810102796.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN101546703
- 公开(公开)日：2009.09.30
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 | ||
| 申请号 | CN200810102796.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101546703 | 公开（授权）日 | 2009.09.30 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 贾锐;李维龙;陈晨;刘明;陈宝钦;谢长青 |
| 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 至一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备硅纳米晶超晶格结构的方法，该方法包括： 在衬底上生长二氧化硅层；将硅颗粒与金属氧化物颗粒的混合物蒸发 至所述二氧化硅层上；对样品进行高温热退火。采用本发明方法制备 的量子点颗粒的大小约为3至6nm，可用于单电子器件或单电子存储 器的制作，特别是用于太阳能电池的制作等。这种方法具有工艺步骤 少、简单、稳定可靠、易于大规模制造、能与传统的微电子工艺兼容 的优点。 | ||
交易流程
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