专利详情

专利名称	一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
申请号	CN201210432144.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102965733A	公开（授权）日	2013.03.13
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	王波;彭同华;刘春俊;赵宁;娄艳芳;王文军;王刚;陈小龙
主分类号	C30B29/36(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/36(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I
专利有效期	一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺至一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可提供氢原子的气体和氮气与惰性载气(氩气或者氦气)一起引入生长室内，在制备碳化硅晶体的温度下分解出氢原子，改变可以提供氢原子的气体流量以调节氢原子在生长室内的浓度，生长出无石墨包裹物的导电碳化硅晶体，提高晶体质量和产率。