专利详情

专利名称	制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法
申请号	CN201210436128.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102956774A	公开（授权）日	2013.03.06
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	程滟;汪炼成;刘志强;伊晓燕;王国宏
主分类号	H01L33/20(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法至制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层上依次生长的n型氮化镓层、量子阱层和p型GaN层；在p型GaN层上沉积PS球层；沉积SiO2层；高温下灼烧，在PS球层的位置得到规整的纳米级孔；沉积金属层；腐蚀掉SiO2层和金属层；在p型GaN层向下腐蚀，形成纳米级GaN柱阵列；在纳米级GaN柱阵列之间填充绝缘物，去除纳米级GaN柱阵列之间的部分填充绝缘物，使纳米级GaN柱阵列中的p型GaN层露出，形成纳米级柱LED芯片；在芯片的表面蒸镀透明导电层；在纳米级GaN柱阵列的一侧制作N电极台面，在N电极台面制作N金属电极，在纳米级GaN柱阵列的上面制作P金属电极；划片裂片封装，完成制备。