专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201110254340.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102956703A	公开（授权）日	2013.03.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的MOSFET，每个所述MOSFET包括形成于所述半导体衬底中的各自的背栅；以及浅沟槽隔离，形成在所述相邻的MOSFET之间以隔开该相邻的MOSFET；其中，所述相邻的MOSFET还包括位于所述背栅的下方的所述半导体衬底中的公共背栅隔离区，所述公共背栅隔离区与所述相邻的MOSFET的背栅之间形成PNP结或NPN结。根据本发明，相邻的MOSFET之间除了通过浅沟槽隔离实现背栅隔离之外，还进一步通过背栅和背栅隔离区中形成的PNP结或NPN结进行隔离，从而使得半导体器件具有更好的绝缘效果，大大降低了半导体器件被意外击穿的可能性。