专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201110252276.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102956700A	公开（授权）日	2013.03.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种半导体结构，包括，半导体基体，所述半导体基体位于绝缘层上，且所述绝缘层位于半导体衬底上；源漏区，其接于所述半导体基体的两个相对的第一侧面；栅极，其位于所述半导体基体的两个相对的第二侧面上；绝缘塞，位于所述绝缘层上并嵌于所述半导体基体中；外延层，夹与所述绝缘塞和所述半导体基体之间，对于NMOS器件，所述外延层为SiC；对于PMOS器件，所述外延层为SiGe。本发明还提供一种半导体结构的形成方法。通过形成应变外延层，调节沟道区应力，提高载流子迁移率，增强半导体器件性能。