专利详情

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN201110254440.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102956647A	公开（授权）日	2013.03.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;梁擎擎;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/761(2006.01)I
专利有效期	半导体器件及其制造方法至半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：SOI晶片，其包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；在SOI晶片中形成的相邻的MOSFET，每个所述MOSFET包括形成于所述半导体衬底中的背栅和形成于所述背栅下方的背栅隔离区；以及浅沟槽隔离，形成在所述相邻的MOSFET之间以隔开该相邻的MOSFET；其中，每个MOSFET的背栅和背栅隔离区之间形成PN结。根据本发明的优选实施例，相邻的MOSFET的背栅隔离区之间形成PN结。相邻的MOSFET之间除了通过浅沟槽隔离实现背栅隔离之外，还进一步通过背栅和背栅隔离区中形成的PNPN结或NPNP结进行隔离，从而使得器件具有更好的绝缘效果，大大降低了半导体器件被意外击穿的可能性。