半导体器件结构及其制作方法
- 申请号：CN201110240932.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102956483A
- 公开(公开)日：2013.03.06
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201110240932.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102956483A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;罗军;梁擎擎;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件结构及其制作方法 至半导体器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件结构及其制作方法。该半导体器件结构制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上沿第一方向形成鳍；在半导体衬底上沿与第一方向交叉的第二方向形成栅极线，所述栅极线经由栅介质层与鳍相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；绕所述电介质侧墙的外侧形成导电侧墙；以及在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅电极，被隔离的导电侧墙部分形成相应单元器件的接触部。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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过户资料
平台保障
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