专利详情

专利名称	单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法
申请号	CN200810102205.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101540297	公开（授权）日	2009.09.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;徐静波;付晓君
主分类号	H01L21/8232(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8232(2006.01)I
专利有效期	单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法至单片集成增强/耗尽型GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种单片集成E/D GaAs MHEMT环形振荡器的制作方法，包括：对源漏进行光刻，蒸发Ti/Pt/Au形成欧姆接触，实现源漏的制备；采用湿法腐蚀形成隔离台面，采用分步栅工艺，挖栅槽，分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au分步形成增强型栅极和耗尽型栅极，实现栅极的制备；采用PECVD生长一层SiN介质，溅射NiCr合金制作电阻；刻孔，蒸发一次布线金属，再长介质SiN，再进行光刻二次布线Ti/Au；常规金属剥离形成金属图形。利用本发明，采用改良的E/D MHEMT工艺技术，制备出性能良好的MHEMT 9阶和15阶环型振荡器，对E/D MHEMT制备工艺技术进行了验证，确保了内部器件特性的测量更精确。