专利详情

专利名称	实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法
申请号	CN200810102206.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101540296	公开（授权）日	2009.09.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黎明;张海英;徐静波;付晓君
主分类号	H01L21/822(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/822(2006.01)I
专利有效期	实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法至实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及化合物半导体MMIC技术领域，公开一种采用GaAs 增强/耗尽型PHEMT技术实现微波开关及其逻辑控制电路单片集成的制作方法，利用1.0μm GaAs E/D PHEMT工艺，制备出性能良好的 DC～10GHz SPDT MMIC，将全耗尽型微波开关与反相器逻辑电路集成于同一芯片内，基本实现逻辑电路与开关电路的集成，整个电路只需要1位控制信号，有效的减少了开关电路的控制端口数目，节省了芯片面积。为将来采用E/D HEMT技术实现更大规模、更复杂电路集成奠定了良好基础。发明具有成效明显，工艺设计简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体电路制作中采用和推广。