专利详情

专利名称	一种相变存储的快速擦写操作方法
申请号	CN201210436990.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102945683A	公开（授权）日	2013.02.27
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宏潇;陈后鹏;宋志棠;陈一峰
主分类号	G11C11/56(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/56(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储的快速擦写操作方法至一种相变存储的快速擦写操作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法，包括逻辑控制电路、存储单元阵列以及分别与该逻辑控制电路连通的驱动电路、字线选通管、位线选通管和读电路；当执行擦操作SET编程时，打开各通路形成预编程脉冲，流入位线选通管，继而流入所选相变存储单元中，完成预编程操作；随后关掉大电流通路，输出的编程脉冲对所选相变存储单元进行编程。本发明有效减小了相变存储单元SET编程时间，从而提高了相变存储擦操作速度，改善了SET编程后的低阻分布。