一种半导体器件
- 申请号：CN201090000828.2
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN202758852U
- 公开(公开)日：2013.02.27
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 一种半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201090000828.2 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202758852U | 公开（授权）日 | 2013.02.27 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种半导体器件 至一种半导体器件 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 公开了一种半导体器件，在半导体衬底上形成SiGe弛豫层；在所述SiGe弛豫层上形成电介质层，在所述电介质层上形成替代栅，所述电介质层和所述替代栅构成了替代栅结构；沉积层间介电层，对所述层间介电层进行平坦化处理，以暴露出所述替代栅；刻蚀去除所述替代栅和所述电介质层，以形成开口；在所述开口中执行选择性半导体外延生长，形成半导体外延层；沉积高K介电层和金属层；以及对所沉积的金属层和高K介电层执行平坦化处理，去除覆盖在所述层间介电层上的高K介电层和金属层，形成金属栅。 | ||
交易流程
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专利 -
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确认专利
可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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