专利详情

专利名称	一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法
申请号	CN201210581219.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103060907A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	刘云圻;陈建毅;黄丽平;薛运周;耿德超;罗庇荣;武斌;郭云龙;于贵
主分类号	C30B25/18(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/18(2006.01)I;C30B29/02(2006.01)I
专利有效期	一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法至一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种在绝缘材料上制备单晶石墨烯的方法。该方法，包括：1)将绝缘材料在非氧化性气氛中升温至1200-1800℃，保持10-30分钟；2)保持所述步骤1)中的温度不变，向步骤1)反应体系中充入碳源和氢气，采用化学气相沉积法在所述步骤1)处理完毕的绝缘材料上进行反应，反应完毕关闭所述碳源，在非氧化性气氛下冷却至室温，得到所述单晶石墨烯。该石墨烯具有规则的几何形貌，如正六变形和正十二变形。该方法工艺简单，与现有半导体工业兼容。