专利详情

专利名称	A1₁₂Mg₁₇为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法
申请号	CN200910066854.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101538660	公开（授权）日	2009.09.23
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	王立民;王小林;贾音;王立东;李云辉;吴耀明
主分类号	C22C1/02(2006.01)I	IPC主分类号	C22C1/02(2006.01)I
专利有效期	A1₁₂Mg₁₇为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法至A1₁₂Mg₁₇为镁源制备低残单的RE-Mg-Ni系储氢合金的方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明提供了Al₁₂Mg₁₇为镁源制备低残单RE-Mg-Ni系储氢合金的方法。使用 Al₁₂Mg₁₇强化相为镁源，代替常用的镁源；实际上的稳定性、高温动态稳定性以及匹配性等都优越于现有技术中的镁源，目标合金符合“金属镁低残留”要求；铸态合金 La_0.72Mg_0.28Ni_2.2Al_0.2、La_0.77Mg_0.23Ni_2.3Al_0.2、La_0.82Mg_0.18Ni_2.45Al_0.13、La_0.66Mg_0.34Ni_2.38Co_0.46Mn_0.26Al_0.44 的室温最大放电比容量分别为298mAh/g、292mAh/g、289mAh/g和309mAh/g；达到了发明之目的。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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